IGBTやIPM等の電力用半導体素子を用いたパワー回路において、 高速スイッチング時における異常電圧を抑制し、 高速動作をさせるための特性改善を狙った基板がラミネートブスバーです。 絶縁フィルムシートと金属導体とを積層ラミネートすることによって、以下の利点を実現します。